Что такое CCD-матрица?
CCD-матрица / Charge-Coupled Device или ПЗС-матрица / Прибор с зарядовой связью - это аналоговая интегральная микросхема, в составе которой есть светочувствительные фотодиоды, выполненные из кремния или оксида олова. Принцип работы данной микросхемы основан на технологии приборов с зарядовой связью (ПЗС).
История CCD-матрицы
Впервые прибор с зарядовой связью был применен Джорджем Смитом (George Smith) и Уиллардом Бойлом (Willard Boyle) в Лабораториях Белла крупнейшей в США корпорации AT&T Bell Labs в 1969 г. Они вели исследования в области видеотелефонии и так называемой «полупроводниковой пузырьковой памяти».
Вскоре миниатюрные приборы получили довольно широкое распространение и стали использоваться как устройства памяти, в которых заряд размещался во входном регистре микросхемы. Спустя какое-то время способность элемента памяти получать заряд за счет фотоэлектрического эффекта стала основной целью применение CCD устройств.
Еще через год, в 1970 году, исследователи все той же Лаборатории смогли зафиксировать изображения с помощью простейших линейных устройств, что собственно и взяли на вооружение инженеры Sony. Данная компания и по сей день активно работает в области CCD технологий, вкладывая в данное направление огромные финансовые вложения, всячески развивая производство ПЗС-матриц для своих видеокамер. Кстати, микросхема ПЗС-матрицы была установлена на надгробной плите главы компании Sony Кадзуо Ивама, который скончался в 1982 году. Ведь именно он стоял у истоков начала производства ПЗС-матрицы в массовом объеме.
Не остался без внимания и вклад изобретателей CCD-матрицы, так в 2006 году Уиллард Бойл и Джордж Смит получили награду Национальной Инженерной Академии США за свои разработки в данной сфере, а в 2009-м году им вручили Нобелевскую премию по физике.
Принцип работы ПЗС-матрицы
CCD-матрица практически полностью выполнена из поликремния, который изначально был отделен от кремниевой подложки специальной мембраной. При подаче напряжения на мембрану посредством поликремневые затворы сильно изменяются электрические потенциалы, расположенные вблизи электродов проводника.
Перед экспонированием и подачей на электроды определенной мощности напряжения, происходит сброс всех зарядов, которые образовались ранее, а также наблюдается преобразование всех элементов в идентичное или первоначальное состояние.
Комбинация напряжений на электродах создает потенциальный запас или так называемую яму, где скапливаются электроны, появившиеся в определенном пикселе матрицы в процессе экспонирования под воздействием световых лучей. В зависимости от интенсивности силы светового потока находится и объем накопившихся электронов в потенциальной яме, поэтому чем она больше, тем выше будет мощность итогового заряда определенного пикселя.
После завершения экспонирования, последовательные изменения напряжения питания электродов происходят в каждом отдельно взятом пикселе, рядом с которым наблюдается распределение потенциалов, в результате чего заряды перемещаются в заданном направлении - к выходным пикселям ПЗС-матрицы.
Состав элементов CCD-матрицы
В общих чертах конструкция CCD-элемента может быть представлена в виде кремниевой подложки p-типа, снабженной каналами из полупроводника n-типа. Над данными каналами располагаются электроды из поликристаллического кремния с изолирующей мембраной из оксида кремния.
После подачи электрического потенциала на данные электроды, в ослабленной зоне под каналом n-типа возникает потенциальная ловушка (яма). Ее основной задачей является сохранение электронов. Частица света, попадающая в кремний, провоцирует генерацию электронов, которые притягиваются потенциальной ловушкой и остаются в ней. Большое количество фотонов или яркий свет обеспечивает мощный заряд ловушки, после чего необходимо рассчитать и усилить значение полученного заряда, который специалисты именуют фототоком.
Процесс считывания фототоков CCD-элементов осуществляется с так называемыми последовательными регистрами сдвига, которые конвертируют строку зарядов на входе в серию импульсов на выходе. Данный поток импульсов собственно и является аналоговым сигналом, который поступает на усилитель.
Таким образом, в аналоговый сигнал можно преобразовать заряды строки из CCD-элементов с помощь регистра. На практике же последовательный регистр сдвига в CCD-матрицах выполняется посредством все тех же CCD-элементов, построенных в одну строку. При этом работа данного устройства основывается на умении приборов с зарядовой связью обмениваться зарядами своих потенциальных ловушек. Такой процесс осуществляется за счет наличия специализированных электродов переноса, которые размещаются между соседними CCD-элементами. В момент подачи на ближайший электрод повышенного потенциала, при этом заряд переходит под него из потенциальной ямы. В то же время между CCD-элементами обычно располагаются два-четыре электрода переноса, от количества которых зависит фазность регистра сдвига, именуемого двухфазным, трёхфазным или четырёхфазным.
Подача разных потенциалов на электроды переноса синхронизирована таким образом, что переход зарядов потенциальных ловушек всех CCD-элементов регистра выполняется практически одновременно. Так за один «шаг» переноса, CCD-элементы перемещают по цепочке заряды справа налево или слева направо. При этом крайний CCD-элемент отдаёт свой заряд усилителю, который расположен на выходе регистра. Таким образом, становится вполне очевидно, что последовательный регистр сдвига является устройством с последовательным выходом и параллельным входом.
После того, как завершается процесс считывания абсолютно всех зарядов из регистра появляется возможность подать на его вход новую строку, затем еще одну и так далее. В результате получается непрерывный аналоговый сигнал, в основе которого лежит двумерный поток фототоков. После этого, входной параллельный поток, поступающий на последовательный регистр сдвига, обеспечивается совокупностью вертикально ориентированных последовательных регистров сдвига, именуемой параллельным регистром сдвига. Вся эта конструкция в собранном виде как раз и является устройством, именуемым сегодня CCD-матрицей.
Матрица является главным структурным элементом фотоаппарата и одним из ключевых параметров, принимаемых во внимание пользователем при выборе фотокамеры. Матрицы современных цифровых фотоаппаратов можно классифицировать по нескольким прознакам, но основным и наиболее распространенным всеже является деление матриц по методу считывания заряда , на: матрицы CCD типа и CMOS матрицы. В данной статье мы рассмотрим принципы работы, а также достоинства и недостатки этих двух типов матриц, так как именно они повсеместно используются в современных фото- и видеотехнике.
CCD матрица
Матрицу CCD называют еще ПЗС-матрицей (Приборы с Зарядовой Связью). ПЗС матрица представляет собой прямоугольную пластину светочувствительных элементов (фотодиодов), расположенных на полупроводниковом кристалле кремния. В основе принципа ее действия лежит построчное перемещение зарядов, которые накопились в прорехах, образованных фотонами в атомах кремния. То есть, при столкновении с фотодиодом, фотон света поглощается и при этом выделяется электрон (происходит внутренний фотоэффект). В результате образуется заряд, который нужно как-то сохранить для дальнейшей обработки. Для этой цели в кремниевой подложке матрицы встроен полупроводник, над которым располагается прозрачный электрод из поликристаллического кремния. И в результате подачи на данный электрод электрического потенциала в обеднённой зоне под полупроводником образуется так называемая потенциальная яма, в которой и хранится полученный от фотонов зарад. При считывании с матрицы электрического заряда осуществляется перенос зарядов (хранящихся в потенциальных ямах) по электродам переноса к краю матрицы (последовательный регистр сдвига) и в сторону усилителя, который усиливает сигнал и передает его в аналогово-цифровой преобразователь (АЦП), откуда преобразованный сигнал направляется в процессор, который обрабатывает сигнал и сохраняет полученное изображение на карту памяти.
Для изготовления ПЗС-матриц используются поликремневые фотодиоды. Такие матрицы отличаются небольшими размерами и позволяют получать достаточно качественные фотографии при съемке с нормальным освещением.
Преимущества ПЗС-матриц :
Недостатки ПЗС-матриц:
Матрица CMOS , или КМОП-матрица (Комплементарные Металл-Оксидные Полупроводники) использует активные точечные сенсоры. В отличие от ПЗС-матриц, КМОП-матрица содержат отдельный транзистор в каждом светочувствительном элементе (пикселе) в результате чего преобразование заряда выполняется непосредственно в пикселе. Полученный заряд может быть считан из каждого пикселя индивидуально, поэтому отпадает необходимость переноса заряда (как это происходит в ПЗС-матрицах). Пиксели КМОП-матрицы интегрируется непосредственно с аналогово-цифровым преобразователем или даже с процессором. В результате применения такой рациональной технологии происходит экономия энергии за счет сокращения цепочек действий по сравнению с матрицами CCD, а также удешевление устройства за счет более простой конструкции.
Краткий принцип работы КМОП-матрицы: 1) Перед съемкой на транзистор сброса подается сигнал сброса. 2) Во время экспозиции свет проникает через линзу и фильтр на фотодиод и в результате фотосинтеза в потенциальной яме накапливается заряд. 3) Считывается значение полученного напряжения. 4) Обработка данных и сохранение изображения.
Преимущества КМОП-матриц :
Недостатки КМОП-матриц:
Кроме вышеупомянутых типов, существуют еще трехслойные матрицы, каждый слой которых представляет собой CCD. Отличие состоит в том, что ячейки могут одновременно воспринимать три цвета, которые образуются дихроидными призмами при попадании на них пучка света. Затем каждый пучок направляется на отдельную матрицу. В результате яркость синего, красного и зеленого цветов определяется на фотоэлементе сразу. Трехслойные матрицы применяют в видеокамерах высокого уровня, которые имеют специальное обозначение - 3CCD .
Подводя итоги хотелось бы отметить, что с развитием технологий производства CCD и CMOS матриц, меняются и их характеристики, поэтому все сложнее сказать какая из матриц однозначно лучше, но при этом в последнее время в производстве зеркальных фотокамер все большей популярностью пользуются КМОП-матрицы. На основе характерных особенностей различных видов матриц, можно составить четкое представление, почему профессиональная фототехника, обеспечивающая высокое качество съемок, довольно громоздкая и тяжелая. Эту информацию обязательно следует помнить при выборе фотоаппарата - то есть, учитывать физические размеры матрицы, а не количество пикселей.
Твердотельные фотоэлектрические преобразователи (ТФЭП) изображений являются аналогами передающих ЭЛТ.
ТФЭП ведут начало с 1970г., с так называемых ПЗС и формируются на основе отдельных ячеек, представляющих собой конденсаторы МДП- или МОП-структуры. Одной из обкладок такого элементарного конденсатора является металлическая пленка М, второй – полупроводниковая подложка П (p - или n -проводимости), диэлектриком Д служит полупроводник, наносимый в виде тонкого слоя на подложку П. В качестве подложки П применяется кремний, легированный акцепторной (p -типа) или донорной (n -типа) примесью, а в качестве Д – окисел кремния SiO 2 (см. рис.8.8).
Рис. 8.8. Конденсатор МОП-структуры
Рис. 8.9. Перемещение зарядов под действием электрического поля
Рис. 8.10. Принцип работы трехфазной системы ПЗС
Рис. 8.11. Перемещение зарядов в двухфазной системе ПЗС
При подаче на металлический электрод напряжения, под ним образуется «карман» или потенциальная яма, в которой могут «скапливаться» неосновные носители (в нашем случае электроны), а основные носители, дырки, будут отталкиваться от М. На каком-то расстоянии от поверхности, концентрирование неосновных носителей может оказаться выше концентрации основных. Вблизи диэлектрика Д в подложке П возникает инверсионный слой, в котором тип проводимости изменяется на обратный.
Зарядовый пакет в ПЗС может быть введен электрическим путем или с помощью световой генерации. При световой генерации фотоэлектрические процессы, возникающие в кремнии, приведут к накоплению неосновных носителей в потенциальных ямах. Накопленный заряд пропорционален освещенности и времени накопления . Направленная передача заряда в ПЗС обеспечивается расположением МОП-конденсаторов на столь близком расстоянии друг от друга, что их обедненные области перекрываются и потенциальные ямы соединяются. При этом подвижный заряд неосновных носителей будет накапливаться в том месте, где глубже потенциальная яма.
Пусть под воздействием света накоплен заряд под электродом U 1 (см. рис.8.9). Если теперь на соседний электрод U 2 подать напряжение U 2 > U 1 , то рядом появится другая потенциальная яма, более глубокая (U 2 > U 1). Между ними возникнет область электрического поля и неосновные носители (электроны) будут дрейфовать (перетекать) в более глубокий «карман» (см. рис.8.9). Чтобы исключить двунаправленность в передаче зарядов, используют последовательность электродов, объединенных в группы по 3 электрода (см. рис.8.10).
Если, например, накоплен заряд под электродом 4 и необходимо передать его вправо, то на правый электрод 5 подается более высокое напряжение (U 2 > U 1) и заряд перетекает к нему и т.д.
Практически вся совокупность электродов подсоединена к трем шинам:
I – 1, 4, 7, …
II – 2, 5, 8, …
III – 3, 6, 9, …
В нашем случае напряжение «приема» (U 2) будет на электродах 2 и 5, но электрод 2 отделен от электрода 4, где хранится заряд, электродом 3 (у которого
U 3 = 0), поэтому перетекания влево не будет.
Трехтактная работа ПЗС предполагает наличие трех электродов (ячеек) на один элемент ТВ-изображения, что уменьшает полезную площадь, используемую световым потоком. Для сокращения числа ячеек (электродов) ПЗС металлические электроды и слой диэлектрика формируются ступенчатой формы (см. рис.8.11). Это позволяет при подаче на электроды импульсов напряжения создавать под разными его участками потенциальные ямы разной глубины. В более глубокую яму стекает большинство зарядов из соседней ячейки.
При двухфазной системе ПЗС сокращается число электродов (ячеек) в матрице на одну треть, что благоприятно сказывается на считывании потенциального рельефа.
ПЗС вначале предлагали использовать в вычислительной технике в качестве запоминающих устройств, регистров сдвига. В начале цепочки ставили инжектирующий диод, вводящий в систему заряд, а в конце цепи – выводной диод, обычно это n-p- или p-n- переходы МОП структуры, образующие с первым и последним электродами (ячейками) цепочки ПЗС полевые транзисторы.
Но скоро выяснилось, что ПЗС очень чувствительны к свету, и поэтому их лучше и эффективнее использовать в качестве светоприемников, а не в качестве запоминающих устройств.
Если ПЗС-матрица используется в качестве фотоприемника, то накопление заряда под тем или иным электродом может быть осуществлено оптическим методом (инжекция светом). Можно говорить, что ПЗС-матрицы по сути своей являются светочувствительными аналоговыми сдвиговыми регистрами. Сегодня ПЗС не используются в качестве запоминающих устройств (ЗУ), а только в качестве фотоприемников. Они используются в факсимильных аппаратах, сканерах (линейки ПЗС), в фотокамерах и видеокамерах (матрицы ПЗС). Обычно в ТВ камерах используются так называемые ПЗС-чипы.
Мы предполагали, что все 100% зарядов передаются в соседний карман. Однако на практике приходится считаться с потерями. Одним из источников потерь является «ловушки», способные захватывать и удерживать некоторое время заряды. Эти заряды не успевают перетечь в соседний карман, если скорость передачи будет велика.
Второй причиной является сам механизм перетекания. В первый момент перенос зарядов происходит в сильном электрическом поле - дрейф в Е . Однако по мере перетекания зарядов напряженность поля падает и дрейфовый процесс затухает, поэтому последняя порция перемещается за счет диффузии, в 100 раз медленнее дрейфа. Дождаться последней порции – значит снизить быстродействие. Дрейф дает более 90% переноса. Но именно последние проценты являются основными при определении потерь.
Пусть коэффициент передачи одного цикла переноса равен k = 0,99, полагая число циклов равным N = 100, определим суммарный коэффициент передачи:
0,99 100 = 0,366
Становится очевидным, что при большом числе элементов даже незначительные потери на одном элементе приобретают большое значение для цепочки в целом.
Поэтому вопрос о сокращении числа переносов зарядов в матрице ПЗС является особо важным. В этом отношении у матрицы двухфазной ПЗС коэффициент передачи зарядов будет несколько большим, чем в трехфазной системе.
| ПЗС-матрица (Прибор с зарядовой связью ) или CCD-матрица (на англ. Charge-Coupled Device ) – это аналоговая интегральная микросхема, в состав которой входят светочувствительные фотодиоды, выполненные на основе кремния или оксида олова. Данная микросхема использует технологию ПЗС (Приборов с зарядовой связью).
Первый прибор с зарядовой связью был разработан в 1969 году Джорджем Смитом (George Smith) и Уиллардом Бойлом (Willard Boyle) в Лабораториях Белла (AT&T Bell Labs) в США. Разработки велись в области видеотелефонии (Picture Phone) и развитии актуальной в то время, «полупроводниковой пузырьковой памяти» (Semiconductor Bubble Memory). Вскоре приборы с зарядовой связью начали использоваться как устройства памяти, в которых можно было поместить заряд во входной регистр микросхемы. Но позднее способность элемента памяти устройства получать заряд за счет фотоэлектрического эффекта сделала применение CCD устройств основным.
В 1970 году исследователи Лаборатории Белла научились фиксировать изображения с помощью простейших линейных устройств.
Вскоре, под руководством Кадзуо Ивамы, компания Sony стала активно разрабатывать и заниматься CCD технологиями, вложив в это огромные средства, и сумела наладить массовое производство ПЗС-матриц для своих видео камер.
Кадзуо Ивама скончался в августе 1982 года. Для увековечения его вклада, микросхема ПЗС-матрицы была установлена на его надгробной плите.
В 2006 году за работы над CCD, Уиллард Бойл и Джордж Смит были награждены Национальной Инженерной Академией США (USA National Academy of Engineering).
Позднее, в 2009 году создатели были награждены Нобелевской премией по физике.
CCD-матрица в основном состоит из поликремния, отделённого от кремниевой подложки мембраной, у которой при подаче напряжения питания через поликремневые затворы сильно изменяются электрические потенциалы вблизи электродов проводника.
До экспонирования и подачей определённой комбинации напряжений на электроды, происходит сброс всех зарядов образовавшихся ранее и преобразование всех элементов в идентичное или первоначальное состояние.
Затем комбинация напряжений на электродах создаёт потенциальный запас или яму, в которой накапливаться электроны, образовавшиеся в определенном пикселе матрицы в результате воздействия световых лучей при экспонировании. Чем интенсивней сила светового потока во время экспозиции, тем больше накапливается запас электронов в потенциальной яме, соответственно тем выше мощность итогового заряда определенного пикселя.
После экспонирования, последовательные изменения напряжения питания на электродах формируются в каждом отдельно взятом пикселе и рядом с ним происходит распределение потенциалов, которое приводит к перетеканию заряда в заданном направлении, к выходным пикселям ПЗС-матрицы.
Примечание: архитектура субпикселей у каждого производителя своя.
Обозначения пикселя CCD на схеме:
1 - Частицы света (фотоны), прошедшие через объектив видеокамеры;
2 - Микролинза субпикселя;
3 - Красный светофильтр субпикселя (является фрагментом фильтра Байера);
4 - Светопропускающий электрод из оксида олова или поликристаллического кремния;
5 - Изолятор (состоит из оксида кремния);
6 - Специальный кремниевый канал n-типа. Зона внутреннего фотоэффекта (зона генерации носителей);
7 - Зона возможного запаса или ямы (карман n-типа). Место где собираются электроны из зоны генерации носителей;
8 - Кремниевая подложка p-типа.
Полностью сформированное объективом видео изображение попадает на CCD-матрицу, то есть световые лучи падают на светочувствительную поверхность CCD-элементов, цель которых - преобразовать энергию частиц (фотонов) в электрический заряд.
Данный процесс протекает следующим образом.
Для фотона, попавшего на CCD-элемент, есть три варианта развития событий - он либо «отлетит» от поверхности, либо поглотится толщей полупроводника (состав материала матрицы), либо пробьет его поверхность. Поэтому от разработчиков требуется создать такой сенсор, в котором потери от отражения и поглащения были бы минимизированы. Те же частицы, которые были поглощены CCD-матрицей, образуют пару электрон-дырка, если произошло слабое взаимодействие с атомом кристаллической решётки полу проводника, или взаимодействие было с атомами донорских, либо акцепторных примесей. Оба из вышеперечисленных явлений называются - внутренним фотоэффектом. Но, внутренним фотоэффектом работа сенсора не ограничивается – главное необходимо сохранить «отнятые» у полупроводника носители заряда в специализированном хранилище, а потом их считать.
В общем виде конструкция CCD-элемента выглядит примерно так: кремниевая подложка p-типа снабжается каналами из полу проводника n-типа. Над этими каналами размещаются электроды из поликристаллического кремния с изолирующей мембраной из оксида кремния. После подачи на этот электрод электрического потенциала, в ослабленной зоне под каналом n-типа создаётся потенциальная ловушка (яма), задача которой - сохранить электроны. Частица света, проникающая в кремний, приводит к генерации электрона, который притягивается потенциальной ловушкой и «застревает» в ней. Огромное количество фотонов или яркий свет обеспечивает больший заряд ловушки. Потом надо считать значение полученного заряда, также именуемого фототоком, и затем усилить его.
Считывание фототоков CCD-элементов происходит с так называемыми последовательными регистрами сдвига, которые конвертируют строку зарядов на входе в серию импульсов на выходе. Созданная серия импульсов – это и есть аналоговый сигнал, который в дальнейшем поступает на усилитель.
Так, при помощи регистра возможно преобразовать в аналоговый сигнал заряды строки из CCD-элементов. Практически, последовательный регистр сдвига в CCD-матрицах реализуется с помощью тех же CCD-элементов, объединённых в одну строку. Работа данного устройства базируется на умении приборов с зарядовой связью обмениваться зарядами своих потенциальных ловувшек. Этот обмен происходит благодаря наличию специализированных электродов переноса (по англ. Transfer Gate), расположенных между соседними CCD-элементами. При подаче повышенного потенциала на ближайший электрод, заряд «мигрирует» под него из потенциальной ловушки. Между CCD-элементами обычно располагаются от двух до четырёх электродов переноса, и от их количества зависит фазность регистра сдвига, который также называется двухфазным, трёхфазным или четырёхфазным.
Подача разных потенциалов на электроды переноса синхронизирована так, что перетекание зарядов потенциальных ловушек всех CCD-элементов регистра происходит практически одновременно. Так за один цикл переноса, CCD-элементы передают по цепочке заряды справа налево или слева направо. А крайний CCD-элемент отдаёт свой заряд усилителю, размещенного на выходе регистра.
Итак, последовательный регистр сдвига это и есть устройство с последовательным выходом и параллельным входом. После считывания абсолютно всех зарядов из регистра возникает возможность подать на его вход новую строку, потом следующую и так сформировать непрерывный аналоговый сигнал в основе которых лежит двумерный массив фототоков. Затем, входной параллельный поток для последовательного регистра сдвига обеспечивается совокупностью вертикально ориентированных последовательных регистров сдвига, которая называется параллельным регистром сдвига, а вся конструкция в сборе как раз и является устройством, называемое CCD-матрицей.
В данной курсовой работе я рассмотрю общие сведения о приборах с зарядовой связью, параметры, историю создания, характеристики современных ПЗС-камер среднего инфракрасного диапазона.
В результате выполнения курсовой работы изучил литературу по созданию, принципу действия, технических характеристиках и применении ПЗС-камер среднего ИК диапазона.
Прибор с зарядовой связью (ПЗС) представляет собой ряд простых МДП-структур (металл -- диэлектрик-- полупроводник), сформированные на общей полупроводниковой подложке таким образом, что полоски металлических электродов образуют линейную или матричную регулярную систему, в которой расстояния между соседними электродами достаточно малы (рис. 1). Это обстоятельство обусловливает тот факт, что в работе устройства определяющим является взаимовлияние соседних МДП-структур .
Рисунок 1 - Структура ПЗС
Основные функциональные назначения фото-чувствительных ПЗС - преобразование оптических изображений в последовательность электрических импульсов (формирование видеосигнала), а также хранение и обработка цифровой и аналоговой информации.
ПЗС изготовляют на основе монокристаллического кремния. Для этого на поверхности кремниевой пластины методом термического окисления создаётся тонкая (0,1-0,15 мкм) диэлектрическая плёнка диоксида кремния. Этот процесс осуществляется таким образом, чтобы обеспечить совершенство границы раздела полупроводник - диэлектрик и минимизировать концентрацию рекомбинаций центров на границе. Электроды отдельных МДП-элементов производятся из алюминия, их длина составляет 3-7 мкм, зазор между электродами 0,2-3 мкм. Типичное число МДП-элементов 500-2000 в линейном и в матричном ПЗС; площадь пластины Под крайними электродами каждой строки изготовляют p- n - переходы, предназначенные для ввода - вывода порции зарядов (зарядовых пакетов) электрич. способом (инжекция p- n -переходом). При фотоэлектрич. вводе зарядовых пакетов ПЗС освещают с фронтальной или тыльной стороны. При фронтальном освещении во избежание затеняющего действия электродов алюминий обычно заменяют плёнками сильнолегированного поликристаллического кремния (поликремния), прозрачного в видимой и ближней ИК-областях спектра.
Общий принцип работы ПЗС заключается в следующем. Если к любому металлическому электроду ПЗС приложить отрицательное напряжение, то под действием возникающего электрического поля электроны, являющиеся основными носителями в подложке, уходят от поверхности вглубь полупроводника. У поверхности же образуется обедненная область, которая на энергетической диаграмме представляет собой потенциальную яму для неосновных носителей -- дырок. Попадающие каким-либо образом в эту область дырки притягиваются к границе раздела диэлектрик -- полупроводник и локализуются в узком приповерхностном слое.
Если теперь к соседнему электроду приложить отрицательное напряжение большей амплитуды, то образуется более глубокая потенциальная яма и дырки переходят в нее. Прикладывая к различным электродам ПЗС необходимые управляющие напряжения, можно обеспечить как хранение зарядов в тех или иных приповерхностных областях, так и направленное перемещение зарядов вдоль поверхности (от структуры к структуре). Введение зарядового пакета (запись) может осуществляться либо p-n-переходом, расположенным, например, вблизи крайнего ПЗС элемента, либо светогенерацией. Вывод заряда из системы (считывание) проще всего также осуществить с помощью p-n-перехода. Таким образом, ПЗС представляет собой устройство, в котором внешняя информация (электрические или световые сигналы) преобразуется в зарядовые пакеты подвижных носителей, определенным образом размещаемые в приповерхностных областях, а обработка информации осуществляется управляемым перемещением этих пакетов вдоль поверхности. Очевидно, что на основе ПЗС можно строить цифровые и аналоговые системы. Для цифровых систем важен лишь факт наличия или отсутствия заряда дырок в том или ином элементе ПЗС, при аналоговой обработке имеют дело с величинами перемещающихся зарядов.
Если на многоэлементный или матричный ПЗС направить световой поток, несущий изображение, то в объеме полупроводника начнется фотогенерация электронно-дырочных пар. Попадая в обедненную область ПЗС, носители разделяются и в потенциальных ямах накапливаются дырки (причем величина накапливаемого заряда пропорциональна локальной освещенности). По истечении некоторого времени (порядка нескольких миллисекунд), достаточного для восприятия изображения, в матрице ПЗС будет храниться картина зарядовых пакетов, соответствующая распределению освещенностей. При включении тактовых импульсов зарядовые пакеты будут перемещаться к выходному устройству считывания, преобразующему их в электрические сигналы. В результате на выходе получится последовательность импульсов с разной амплитудой, огибающая, которых дает видеосигнал.
Принцип действия ПЗС на примере фрагмента строки ФПЗС, управляемой трёхтактовой (трёхфазной) схемой, иллюстрируется на рисунке 2. В течение такта I (восприятие, накопление и хранение видеоинформации) к электродам 1, 4, 7 прикладывается т. н. напряжение хранения Uxp, оттесняющее основные носители - дырки в случае кремния р-типа - в глубь полупроводника и образующее обеднённые слои глубиной 0,5-2 мкм - потенциальные ямы для электронов. Освещение поверхности ФПЗС порождает в объёме кремния избыточные электронно-дырочные пары, при этом электроны стягиваются в потенциальные ямы, локализуются в тонком (0,01 мкм) приповерхностном слое под электродами 1, 4,7, образуя сигнальные зарядовые пакеты.
зарядовый связь камера инфракрасный
Рисунок 2 - схема работы трёхфазного прибора с зарядовой связью - сдвигового регистра
Величина заряда в каждом пакете пропорциональна экспозиции поверхности вблизи данного электрода. В хорошо сформированных МДП-структурах образующиеся заряды вблизи электродов могут относительно долго сохраняться, однако постепенно вследствие генерации носителей заряда примесными центрами, дефектами в объёме или на границе раздела эти заряды будут накапливаться в потенциальных ямах, пока не превысят сигнальные заряды и даже полностью заполнят ямы.
Во время такта II (перенос зарядов) к электродам 2, 5, 8 и так далее прикладывается, напряжение считывания, более высокое, чем напряжение хранения. Поэтому под электродами 2, 5 и 8 возникают более глубокие потенц. ямы, чем под электронами 1, 4 и 7, и вследствие близости электродов 1 и 2, 4 и 5,7 и 8 барьеры между ними исчезают и электроны перетекают в соседние, более глубокие потенциальные ямы.
Во время такта III напряжение на электродах 2, 5, 8 снижается до а с электродов 1, 4, 7 снимается.
Т. о. осуществляется перенос всех зарядовых пакетов вдоль строки ПЗС вправо на один шаг, равный расстоянию между соседними электродами.
Во всё время работы на электродах, непосредственно не подключённых к потенциалам или поддерживается небольшое напряжение смещения (1-3 В), обеспечивающее обеднение носителями заряда всей поверхности полупроводника и ослабление на ней рекомбинации эффектов.
Повторяя процесс коммутации напряжений многократно, выводят через крайний r- h-переход последовательно все зарядовые пакеты, возбуждённые, напр., светом в строке. При этом в выходной цепи возникают импульсы напряжения, пропорциональные величине заряда данного пакета. Картина освещённости трансформируется в поверхностный зарядовый рельеф, который после продвижения вдоль всей строки преобразуется в последовательность электрических импульсов. Чем больше число элементов в строке или матрице (число 1- ИК приемники; 2- буферные элементы; 3 - ПЗС происходит неполная передача зарядового пакета от одного электрода к соседнему и усиливаются обусловленные этим искажением информации. Чтобы избежать искажений накопленного видеосигнала из-за продолжающегося во время переноса освещения, на кристалле ФПЗС создают пространственно разделённые области восприятия - накопления и хранения - считывания, причём в первых обеспечивают максимальную фоточувствительность, а вторые, наоборот, экранируют от света. В линейном ФПЗС (рис. 3, а) заряды, накопленные в строке 1 за один цикл, передаются в регистр 2 (из чётных элементов) и в регистр 3 (из нечётных). В то время, как по этим регистрам информация передаётся через выход 4 в схему объединения сигналов 5, в строке 1 накапливается новый видеокадр. В ФПЗС с кадровым переносом (рисунок 3) информация, воспринятая матрицей накопления 7, быстро "сбрасывается" в матрицу хранения 2, из которой последовательно считывается ПЗС-регистром 3; в это же время матрица 1 накапливает новый кадр.
Рисунок 3 - накопление и считывание информации в линейном (a), матричном (б) фоточувствительном приборе с зарядовой связью и в приборе с зарядовой инжекцией.
Кроме ПЗС простейшей структуры (рисунок 1) получили распространение и другие их разновидности, в частности приборы с поликремниевыми перекрывающимися электродами (рисунок 4), в которых обеспечиваются активное фотовоздействие на всю поверхность полупроводника и малый зазор между электродами, и приборы с асимметрией приповерхностных свойств (напр., слоем диэлектрика переменной толщины - рисунок 4), работающие в двухтактовом режиме. Принципиально отлична структура ПЗС с объёмным каналом (рисунок 4), образованным диффузией примесей. Накопление, хранение, перенос заряда происходят в объёме полупроводника, где меньше, чем на поверхности, рекомбинация центров и выше подвижность носителей. Следствием этого является увеличение на порядок значения и уменьшение по сравнению со всеми разновидностями ПЗС с поверхностным каналом.
Рисунок 4 - Разновидности приборов с зарядовой связью с поверхностным и объёмным каналами.
Для восприятия цветных изображений используют один из двух способов: разделение оптического потока с помощью призмы на красный, зелёный, синий, восприятие каждого из них специальным ФПЗС - кристаллом, смешение импульсов от всех трёх кристаллов в единый видеосигнал; создание на поверхности ФПЗС плёночного штрихового или мозаичного кодирующего светофильтра, образующего растр из разноцветных триад.
