Подобный тестер уже собирал, но решил сделать еще один походный вариант, так как иногда требуется такой приборчик вне дома - например на ремонтах радиоаппаратуры по вызову. Принципиальная схема показана далее, так как размер большой, то это уменьшенная копия. Кликните по ней.
Для питания прибора решено было использовать литий-ионную батарейку от старого мобильника, телефон китаец уже умер, а вот батарейка еще была полна емкости и готова питать устройства. Так вот, убрав контроллер и подпаяв выводы, она как раз была успешно размещена в корпусе будущего прибора и прекрасно подходила для данной схемы как по параметрам, так и по размерам.
Часть преобразователя на плате, который изначально был предусмотрен под измерение стабилитронов с применением 328 меги с большим объемом памяти и большим функционалом, решено было использовать как преобразователь для работы от такой батарейки. Подобрав номиналы добился оптимального коэффициента полезного действия и напряжения, которое преобразуется примерно с 4 вольт в 9 вольт.
Дисплей соединяется через специально запаянный разъем, а соединение дисплея через стойки и болты делают конструкцию более прочными, тем более против откручивания и расшатывания соединений все фиксируется прочным клеем.
Плата имеет небольшое количество малодефицитных запчастей, сердце прибора - микроконтроллер мега-8, преобразователь на микросхеме 34063.
Разъемы для измерения более мелких запчастей - это дип панелька (кроватка) для микросхем, а для более крупных - сборный клемник 2+2 зажима, которые запаяны параллельно с панелькой.
Для того, чтобы батарейка полностью не садилась, используется режим автоматического отключения заложенного в прошивке после 5 измерений, если деталь не подключена, прибор проходит в режим ожидания, при этом дисплей прибора отключается и прибор потребляет не 150 мА, а 10-15 мА - то есть работает только преобразователь уже и не более, но чтоб исключить разрядку окончательно, когда прибор уже собрались положить в карман, есть выключатель питания, который разъединяет при нажатии на кнопку батарею с платой окончательно.
Кнопка "тест", используемая при тестировании деталей, не фиксированная, она с самовозвратом. Пластиковый корпус был куплен в хозяйственном магазине за 15 рублей, завезли хорошие не выпуклые мыльницы, все платы как раз влезли и свободного места почти не осталось внутри.
Разъем для зарядки при подключение внешнего разъема отключает схему прибора и подключается только к батарее для зарядки (своеобразный встроенный переключатель в приборе). Все нужные для повторения тестера файлы вы можете скачать в общем
Я собирал этот тестер используя информацию с разных форумов. Схем существует несколько вариантов (но не столько, сколько прошивок)
В итоге получился компактный, недорогой не требующий точных деталей в схеме, удобный и функциональный приборчик!
Типы тестируемых деталей:
(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tиристор"
- Симисторы - на дисплее "ТРИАК"
- Диоды - на дисплее "Диод"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Дв диод CA"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее " Дв диод CС"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 диода послед."
- Диоды симметричные - на дисплее "2 диода встречные"
- Резисторы - диапазон от 1 Ом до 10 МОм [Ом,KОм]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 5000uF
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 1000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
Фьюзы для PonyProg
Так-же можно, с помощью PonyProg откорректировать константы измерения C и R на фото отмечены ячейки.
Число в средней ячейке буфера меняем с шагом + или - 1 (зависит в какую сторону нужно вносить правку и на сколько, это может быть и число 10),
после изменения числа в ячейке, программируем МК, затем делаем тест известной детали, сравниваем до и после.
Повторяем при необходимости процедуру.
Прошивка для ATmega8 и ATmega8А, в архиве (английский и русский
EEPROM, правильное отображение в кирилице µ
и Omega
) Tr-TestNew_11_01_2011.rar
Печатная плата lay, под индикатор 1602В, скачать архив здесь Tester_P-P.rar
По большому счёту, наладки и настройки прибора особой нет, любители конечно могут подстроить показания R и C так вроде это уже подробно расписано и проблем тоже не должно быть.
Вот и на сайте автора, я посмотрел на что нужно обратить внимание при запуске и настройке прибора.
Перевод мой вольный но смысл я думаю полностью одинаков.
Поиск и устранение неисправностей
Если что-то стало показывать на дисплее, проверить следующие параметры:
Правильность подключения к LCD (проверяем по датшиту разводку ЖК индикатора)?
С HD44780 ЖК-совместимый контроллер?
Проверить фьюзы бит ATMega8, правильно (внутренний генератор на 1 МГц)?
Прошит ли ЕЕР. файл, считать в EEPROM контроллера?
Возможно LCD нуждаются в подстройке напряжение контраста. Сопротивление должно быть отрегулировано в любом случае LCD настраивается для получения хорошего контраста (при необходимости использовать потенциометр).
Если собрана плата на компонентах правильной комплектации, и правильный порядок подключения к щупам, показывает что компонент обнаружен, хотя он не подключен или такие данные, такие как коэффициент усиления для различных последовательностей подключения существенно расходятся, смотреть остаток флюса на дорожках, плохой состав флюса или аналогичные компоненты для пайки, нужно пересмотреть и очистить. Между дорожек на изм. щупы не должно оставаться остаточного компонента флюса. Флюс обычно немного проводящий, приведёт к утечке протекающего тока через флюс, и к искажению результата.
Все, вот такие всемирные рекомендации,
ничего нового и ничего особенного,(условие применение номиналов деталей соблюдается в первую очередь) смотреть нужно только ошибки монтажа, а это скажу я вам, не всегда просто, ведь легче найти ошибку у других, чем признать свою ошибку (шутка)........
В статье описано устройство - тестер полупроводниковых элементов (transistortester). Прототипом этого устройства является статья, размещенная на одном из немецких сайтов, автор Markus. Подобные статьи встречаются в интернете, но прибор заслуживает внимания, и по этому я повторюсь.
Тестер с высокой точностью определяет цоколёвку выводов и типы транзисторов, тиристоров, диодов, так-же определяет резисторы и конденсаторы.
Особенно удобен при определении smd компонентов, для этого он и изготавливался. Будет очень полезен не только начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых деталей:
(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor" (русская - "Tиристор")
- Симисторы - на дисплее "Triak" (русская - "ТРИАК")
- Диоды - на дисплее "Diode" (русская - "Диод")
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK" (русская - "Дв диод CС")
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA" (русская - "Дв диод CА")
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series" (русская - "2 диода послед.")
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric" (русская - "2 диода встречные")
- Резисторы - диапазон от 1 Ом до 10 МОм [Ом,KОм]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 5000uF
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 1000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение - Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
Так-же можно, с помощью PonyProg откорректировать константы измерения C и R (на фото ниже отмечены ячейки).
Число в средней ячейке буфера меняем с шагом + или - 1 (зависит в какую сторону нужно вносить правку и на сколько, это может быть и число 10),
После изменения числа в ячейке, программируем МК, затем делаем тест известной детали, сравниваем до и после.
Повторяем при необходимости процедуру.
Прошивка для ATmega8 и ATmega8А, в архиве (английский и русский EEPROM, правильное отображение в кирилице µ и Omega ) Proshiva.rar
Ещё набор различных прошивок (англ. и рус.) Proshivki.rar
Различные варианты печатных и контактных (для проверки SMD- элементов) плат, скачать архив здесь.Pechatki.rar
Собирать наверно лучше схему без автоотключения (первую схему), так как она проще, да и автоотключение иногда начинает действовать на нервы. После нажатия кнопки "Тест" - индикация длится 10 секунд, затем табло и питание отключаются. Сделано это в целях экономии энергии батареи, но если поставить индикатор без подсветки (она в принципе и не нужна), то ток потребления тестера не превысит 15 мА и схема автоотключения здесь без надобности.
Вообще по большому счёту, наладки и настройки прибора особой нет, любители конечно могут подстроить показания R и C так вроде это уже подробно расписано и проблем тоже не должно быть.
Изначально автор рекомендовал для применения в тестере микроконтроллер Atmega8-16PU, его не везде можно достать. Более доступен микроконтроллер Atmega8L-8PU, и это наиболее точная замена Atmega8-16PU в этом AVR-Transistortesterе.
Эти МК прошиваются одной и тоже прошивкой и особой разницы в работе нет и практически тоже не требуется корректировка по R и С.
Да, ещё этот тестер не является высокоточным прибором, а именно тестером для определения радиоэлементов, и в основном элементов SMD, и он не измеряет ёмкость и сопротивление с высокой точностью. Так же у него могут быть некоторые проблемы;
Проблемы при определении обычных полевых транзисторов:
Так как при большинстве полевых транзисторов сток и исток при измерении мало чем отличаются, или почти не различаются, они могут не быть распознаны или распознаны не правильно, но в принципе тип транзистора показывается правильно в любом случае.
Проблемы так же могут быть и при определении мощных тиристоров и симисторов в следствие того, что имеющийся ток при измерении 7 мА - меньше тока удержания тиристора.
Набор-конструктор AVR-Transistortester - поставляется в виде набора деталей который включает в себя:
печатную плату и все детали включая резисторы и конденсаторы которые требуются для сборки работоспособного прибора. В набор не входит корпус.Прибор не нуждается в настройке и работоспособен сразу после сборки. Процессор устанавливается в сокет. Светодиод не выводится на переднюю панель. Он не индикаторный, а требуется для работы прибора. При работе его свечение может быть не видно. Дисплей подключается к основной плате через "гребёнку" с шагом 2,54мм. Всю документацию необходимую для сборки прибора (принципиальную схему, монтажную схему и список применяемых компонентов) можно скачать в конце статьи.
На фото - готовый собранный прибор. На втором фото - набор деталей.
Набор-конструктор - это набор деталей.Батарея не входит в комплект.
Возможности прибора.
Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе и двойные последовательные и встречно-параллельные), тиристоры,симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры.В частности для биполярных транзисторов:
1. проводимость – NPN или PNP;
2. цоколевку в формате – B=*; C=*; E=*;
3. коэффициент усиления по току – hFE;
5. прямое напряжение база-эмиттер в милливольтах – Uf.
Для MOSFET транзисторов:
1. проводимость (P-канал, или N-канал) и тип канала (E – обогащенный, D – обедненный) – P-E-MOS, P-D-MOS, или N-E-MOS, N-D-MOS;
2. емкость затвора – C;
3. цоколевку в формате GDS=***;
4. наличие защитного диода – символ диода;
5. пороговое напряжение затвор-исток Uf.
Для J-FET транзисторов:
1. проводимость – N-JFET, или P-JFET;
2. цоколевку в формате GDS=***.
Для диодов (в том числе двойных диодов):
1. цоколевку;
2. прямое напряжение анод-катод – Uf.
Для симисторов:
1. тип – Triac;2. цоколевку в формате G=*; A1=*; A2=*.
Для тиристоров:
1. тип – Thyristor;
2. цоколевку в формате – GAK=***.
Результат отображается на двух строчном ЖКИ. Время тестирования менее 2 сек. (за исключением конденсаторов большой емкости), время отображения результата 10 сек. Управление одной кнопкой, выключение автоматическое. Потребление тока в выключенном состоянии менее 20 нА.Диапазон измерения сопротивлений от 2 Ом до 20МОм. Точность не очень высока.Конденсаторы оцениваются хорошо примерно от 0,2 нФ до7000μF. Выше 4000μF точность ухудшается. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты.Тестер не является точным прибором и не гарантирует 100% достоверности идентификациии измерений, однако в подавляющем большинстве случаев результат измерений является верным.При измерении силовых тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если тестовый ток (7мА) окажется меньше тока удержания.
Документация
Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов
(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
Схема прибора:
Схему в большем разрешении.
Программирование микроконтроллера
Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9 . Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.
Fuse-биты mega8
Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку "Тест". Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа "Крона".
Фото печатных дорожек:
Тестирование симистора
