Диод является одной из разновидностей приборов, сконструированных на полупроводниковой основе. Обладает одним p-n переходом , а также анодным и катодным выводом. В большинстве случаев он предназначен для модуляции, выпрямления, преобразования и иных действий с поступающими электрическими сигналами.
Принцип работы:
Хотя эти ошибки встречаются редко, вы должны помнить, что это все возможности, а также диод, который прерывается и не работает, когда через него проходит большой ток. Вы также должны помнить, что диод изготовлен из материалов, которые легко разламываются. Единственное, что держит их вместе, - это тело диода.
Если тело диода расширяется, соединение размыкается. Также: Как работает конденсатор. На этих страницах вы найдете много полезного материала по «электронике в целом». При этом небольшом положительном напряжении практически отсутствует ток прямого тока . С положительным напряжением на его клеммах, мы говорим, что диод смещен вперед. Диод смещен вперед, когда его напряжение находится где угодно на стороне плюсового напряжения источника.
Ниже приводится устройства диода, изучение этих сведений необходимо для дальнейшего понимания принципов действия этих элементов:
Мы говорим, что диод обратный. В обратном направлении ток очень близок к нулю, всегда слегка отрицательный, ниже оси напряжения. Существует крошечный бит тока, который течет, когда диод обратный смещен. Мы называем это обратным током насыщения. В большинстве ситуаций это достаточно близко к нулю, чтобы его можно было игнорировать.
В некоторых случаях ток обратной насыщенности становится важным, и вы даете ему плохо звучащее имя: ток утечки. Обратный смещенный диод не может продержаться вечно. При пробое ток резко увеличивается и становится очень высоким в отрицательном направлении.
Такие особенности внутреннего устройства наделяют диоды их главным свойством – возможностью проведения электрического тока только в одном направлении.
Благодаря двум электродам он называется диодом. Затем диод считается смещенным вперед. В этом состоянии высота потенциального барьера на переходе уменьшается на величину, равную заданному прямому смещающему напряжению. Предполагая, что ток, протекающий через диод, будет очень большим, диод может быть аппроксимирован как короткозамкнутый переключатель. В этом состоянии величина, равная обратному смещающему напряжению, увеличивает высоту потенциального барьера на стыке. Однако процесс не может продолжаться бесконечно, поэтому в диоде продолжает протекать небольшой ток, называемый обратным током насыщения.
Ниже приводятся основные области применения диодов, на примере которых становится понятно их основное назначение:
Использование диодов в электронике на сегодняшний день весьма широко, поскольку фактически ни одна современная разновидность электронного оборудования не обходится без этих элементов.
Этот ток ничтожно мал; диод может быть аппроксимирован как открытый замкнутый переключатель. Вольт-амперные характеристики диода объясняются следующими уравнениями. Рис. - Состояние смещения вперед. Рис. - Обратное смещение Условие. Табулируйте различные токи прямого тока, полученные для разных передовых напряжений.
На p-n-переход диода может оказывать воздействие напряжение, подаваемое с внешних источников. Такие показатели, как величина и полярность, будут сказываться на его поведении и проводимом через него электрическом токе.
Что такое трехвалентные и пентававалентные примеси? Трехвалентные примеси, образующие р-тип: алюминий, галлий, бор и индий. . Измените полярность напряжения, и он действует как короткое замыкание . Что такое диодное уравнение тока? Выражение динамического сопротивления?
Что подразумевается под внутренним полупроводником? Каков порядок энергетической щели в чистом полупроводнике? Что такое внешний полупроводник? Что такое легированный полупроводник? Что такое два разных типа примесей? Каковы носители заряда в чистом полупроводнике? Каково влияние температуры на проводимость полупроводника? Что подразумевается под прямым уклоном? Что означает обратное смещение? Что такое обратная разбивка? Каковы используемые полупроводниковые материалы? Сколько валентных электронов присутствует в каждом атоме полупроводника?
Ниже подробно рассмотрен вариант, при котором происходит подключение плюса к области p-типа, а отрицательного полюса к области n-типа. В этом случае произойдет прямое включение:
Каково статическое сопротивление диода? Что такое динамическое сопротивление диода? Напишите уравнение тока диода. Когда ток идет только в одном направлении, а падение напряжения на диоде всегда равно 7 В, напряжение на аноде должно быть примерно на 6 В выше, чем на катоде. Мы говорим, что диод находится в прямом смещении.
При питании диод можно проверить, измеряя падение напряжения. Напряжение на аноде должно быть на 7 В выше, чем на катоде. Является ли напряжение таким же, как у диода, коротким. При питании диод не только создает падение напряжения на 7 В, но и может разделять два разных напряжения. Напряжение на катоде не обязательно должно быть напряжением, исходящим от анода. Он также может исходить от другого источника напряжения. В общем, напряжение на катоде выше, чем у анода, напряжение исходит из где-либо еще, а диод удерживает напряжения отдельно.
Теперь будет рассмотрен другой способ включения, во время которого изменяется полярность внешнего источника, от которого происходит передача напряжения:
Как всегда в электронике тепло является большой проблемой. В случае сомнений тщательно проверьте все точки пайки платы и отделите их. Когда диод неисправен, выберите более крупный тип, если это возможно. Диод, электронный компонент, который позволяет пропускать ток в одном направлении. Диоды, наиболее используемые в современных электронных схемах , представляют собой диоды из полупроводникового материала. Самый простой диод с точкой контакта германия был создан в первые дни радио. В современных германиевых диодах кабель и крошечная стеклянная пластина устанавливаются внутри небольшой стеклянной трубки и соединяются с двумя проводами, которые приварены к концам трубки.
Напряжение, которое оказывает воздействие на диод, разделяют по двум критериям:
Сопротивление p-n-перехода является постоянно меняющимся показателем, в первую очередь на него оказывает влияние прямое напряжение, подающееся непосредственно на диод. Если напряжение увеличивается, то показатели сопротивления перехода будут пропорционально уменьшаться.
Соединительные диоды состоят из соединения двух разных типов полупроводникового материала. Зенеровский диод представляет собой специальную модель диодного диода, в которой используется кремний, в котором напряжение параллельно соединению не зависит от проходящего через него тока. Благодаря этой функции диоды Зенера используются в качестве регуляторов напряжения. С другой стороны, в светоизлучающих диодах напряжение, прикладываемое к соединению полупроводника, приводит к испусканию световой энергии.
Для решения проблем, связанных с диодами, в настоящее время используются три подхода. Первое приближение - это идеальный диод, в котором считается, что диод не имеет падения напряжения при проводке в положительном направлении, поэтому в этом первом приближении будет считаться, что диод является коротким замыканием в положительном направлении. Напротив, идеальный диод ведет себя как разомкнутая цепь, когда его поляризация является обратной. Во втором приближении мы считаем, что диод имеет падение напряжения при прямом поляризации. Наиболее часто используется второй подход.
Это приводит к росту параметров прямого тока, проходящего через диод. Когда данный прибор закрыт, то на него воздействует фактически все напряжение, по этой причине показатели проходящего через диод обратного тока являются незначительными, а сопротивление перехода при этом достигает пиковых параметров.
Хотя существует широкий спектр типов, только некоторые особенности отличаются от их внешнего вида . Это не относится к размеру, потому что это функция мощности, которую они могут рассеять. Характерно найти айло в теле, которое указывает на катод. Для тех, чей конкретный тип обозначен рядом букв и цифр, катод отмечен кольцом в теле рядом с этим терминалом. Цвета, а в них катод соответствует терминалу, ближайшему к более толстой цветовой дорожке. Гермионовые наконечники обычно заключаются в стекле.
Анод этих диодов длиннее катода, и обычно поверхность капсулы вблизи катода плоская. Практичным способом определения катода является применение измерителя в омметре между его клеммами. Если мы используем режим проверки диода с помощью мультивещателя, мы получаем значение напряжения локтя устройства.
Под вольт-амперной характеристикой данных приборов понимается кривая линия, которая показывает то, в какой зависимости находится электрический ток, протекающий через p-n-переход, от объемов и полярности напряжения, воздействующего на него.
Подобный график можно описать следующим образом:
Как только два материала соединяются, электроны и пустоты, находящиеся в области «соединения» или вблизи нее, объединяются, и это приводит к отсутствию носителей в области, близкой к переходу. Эта область обнаруженных отрицательных и положительных ионов называется областью истощения из-за отсутствия носителей. Существуют три возможности применения напряжения на диодных клеммах.
Иногда приборы подобного типа выходят из строя, это может происходить из-за естественной амортизации и старения данных элементов или по иным причинам.
Всего выделяют 3 основных типа распространенных неисправностей:
Когда достигается обратное напряжение дизъюнкции, происходит резкое увеличение тока, которое может разрушить устройство. Этот диод имеет широкий спектр применений: выпрямительные цепи, ограничители, уровневые зажимы, защиту от коротких замыканий, демодуляторы, смесители, генераторы, блокировку и байпас в фотоволокна и т.д.
При использовании диода в цепи необходимо учитывать следующие соображения. Максимальное обратное напряжение, применимое к компоненту, повторяющееся или не превышающее максимальное, которое оно будет поддерживать. Максимальный постоянный ток , который может проходить через компонент, повторяющийся или нет, должен быть больше максимального, который он будет поддерживать.
Максимальная мощность, которую может выдержать диод, должна быть больше максимальной, которую он выдерживает. На рисунке № 01 мы можем видеть графическое представление или символ для этого типа диода. Одним из важных параметров для диода является сопротивление в точке или области работы.
Поэтому диод представляет собой короткое замыкание для области проводимости. Если мы рассмотрим область потенциала, отрицательно примененную. Поэтому диод является открытой цепью в области отсутствия проводимости. Ток в области Зинера имеет направление, противоположное направлению прямого поляризованного диода. Зенеровский диод представляет собой диод, который был разработан для работы в зоне Зенера.
Подобные пробои происходят в ситуациях, когда показатели обратного электрического тока начинают внезапно и резко расти, происходит это из-за того, что напряжение соответствующего типа достигает недопустимых высоких значений.
Обычно различается несколько видов:
График вольт-амперной характеристики позволяет наглядно изучать эти процессы и разницу между ними.
Согласно определению, можно сказать, что диод Зенера был разработан для работы с отрицательными напряжениями. Важно отметить, что область Зенера контролируется или управляется путем изменения уровней легирования. Он применяется к регуляторам напряжения или источникам.
В схеме, показанной на рисунке 03, желательно защитить нагрузку от перенапряжений, максимальное напряжение, которое может выдерживать нагрузку, составляет 8 вольт. Согласно другим соображениям, работа этого диода примерно следующая. В зоне нарушения, между напряжением локтя и напряжением зенера, мы можем рассмотреть разомкнутую цепь.
Последствия, вызываемые электрическими пробоями, не носят необратимого характера, поскольку при них не происходит разрушение самого кристалла. Поэтому при постепенном понижении напряжения можно восстановить всей свойства и рабочие параметры диода.
При этом, пробои такого типа делятся на две разновидности:
Возникновение такого пробоя может произойти по двум основным причинам: недостаточный теплоотвод и перегрев p-n-перехода, который происходит из-за протекания через него электрического тока со слишком высокими показателями.
Повышение температурного режима в переходе и соседних областях вызывает следующие последствия:
тепловым током, а доля теплового тока в обратном токе кремниевого диода очень мала. Обратный ток кремниевого диода определяется в основном генерационно-рекомбинационными процессами в p - n -переходе. Для инженерных расчетов обратного тока от температуры можно пользоваться приведенным ранее упрощенным выражением (2.4).
Прямая ветвь ВАХ диода отклоняется от идеализированной из-за наличия токов рекомбинации в p - n -переходе, падения напряжения на базе диода, изменения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в нее неосновных носителей заряда и наличия в базе внутреннего поля, возникающего при большом токе инжекции. Запишем уравнение ВАХ идеальногоp - n -перехода (2.3) с учетом падения напряжения на базе диода:
где r б – омическое сопротивление базы диода.
Решение этого трансцендентного уравнения можно получить, прологарифмировав правую и левую части уравнения:
. (3.2)
Для малых токов это выражение можно упростить:
. (3.3)
Анализ уравнения (3.3) позволяет сделать некоторые интересные выводы. Падение напряжения на диоде зависит от тока через него и имеет большое значение у диодов с малымI T . Так как у кремниевых диодов тепловой ток мал, то и начальный участок прямой ветви ВАХ значительно более пологий, чем у германиевых. Объяснить это можно еще и тем, что ощутимый ток появляется в диоде, когда внешнее напряжение превышает контактную разность потенциалов к , а к (в соответствии с (2.1)) у кремниевогоp - n -перехода выше, чем у германиевого. Начальные участки прямой ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов показаны на рис. 3.2. Из рисунка видно, что напряжение на открытом кремниевом диоде обычно равно 0,60,8 В, напряжение на открытом германиевом диоде 0,20,3 В.
Ввиду огромного разнообразия применяемых диодов для отечественных полупроводниковых приборов используется специальная система обозначений. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент кода обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Используются следующие символы:
Г или 1 – для германия и его соединений;
К или 2 – для кремния и его соединений;
А или 3 – для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 – для соединений индия (например, для фосфида индия).
Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Вот лишь некоторые из обозначений:
Д – диоды выпрямительные и импульсные;
Ц – выпрямительные столбы и блоки;
В – варикапы;
И – туннельные диоды;
А – сверхвысокочастотные диоды;
С – стабилитроны;
О – оптопары;
Н – динисторы;
У – триодные тиристоры…
Третий элемент обозначения – цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора. Стандарт устанавливает использование каждой цифры применительно к различным подклассам приборов. При необходимости Вы можете это найти в специальной справочной литературе.
Четвертый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки.
Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
Таким образом, зная систему условных обозначений , мы можем сказать, что ГД107Б – это германиевый выпрямительный диод с I ср вп 10 А, номер разработки 7, группа Б, а 2Ц202Г – столб выпрямительный из кремниевых диодов с 0,3 АI ср вп 10 А, номер разработки 2, группа Г.
Диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный, к быстродействию, емкости p - n -перехода и стабильности параметров которых обычно не предъявляют специальных требований, называютвыпрямительными . В качестве выпрямительных диодов используют сплавные, эпитаксиальные и диффузионные диоды, выполненные на основе несимметричныхp - n -переходов.
Для выпрямительных диодов характерно, что они имеют малые сопротивления в проводящем состоянии и позволяют пропускать большие токи. Барьерная емкость из-за большой площади p - n -переходов велика и достигает значений десятков пикофарад.
К основным параметрам диодов, приводимым в технической документации и справочной литературе, относятся:
1. Максимально допустимое обратное напряжение диода (U обр max ). Это значение напряжения, приложенного в обратном направлении, которое диод может выдержать в течение длительного времени без нарушения его работоспособности. Для различных диодов это напряжение может составлять от десятков до тысяч вольт.
2. Средний выпрямленный ток диода (I ср вп ) – максимально допустимое, среднее за период значение выпрямленного постоянного тока, протекающего через диод. Для различных диодов этот ток может составлять от сотен миллиампер до десятков ампер.
3. Импульсный прямой ток диода (I пр и ) – допустимое пиковое значение импульса тока при заданной максимальной длительности и скважности импульсов.
4. Обратный ток диода (I обр ) – постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением.
5. Постоянное прямое напряжение (U пр ) – постоянное прямое напряжение, обусловленное заданным значением прямого тока. Отношение этих величин определяет сопротивление диода по постоянному току в заданной точке ВАХ.
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов и предназначены для работы в импульсных цепях. От выпрямительных диодов они отличаются малыми емкостямиp - n -перехода (доли пикофарад) и рядом параметров, определяющих переходные характеристики диода. Уменьшение емкостей достигается за счет уменьшения площадиp - n -перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них невелики (3050 мВт).
Рассмотрим воздействие на электрическую цепь, состоящую из диода VD и резистораR (рис. 3.3) знакопеременного импульсного напряженияU вх (рис. 3.4,а ). Напряжение на входе схемы в момент времениt = 0 скачком приобретает положительное значениеU m . Из-за инерционности диффузного процесса ток в диоде появляется не мгновенно, а нарастает в течение времениt уст . В момент времениt = t 1 в цепи устанавливается стационарный режим, при котором ток диода
,
анапряжение на диодеU д =U пр .
При t = t 2 напряжениеU вх меняет полярность. Однако заряды, накопленные на границеp - n - перехода, некоторое время поддерживают диод в открытом состоянии, но направление тока в диоде меняется на противоположное. По существу, в течение времениt расс происходит рассасывание зарядов на границеp - n - перехода (т.е. разряд эквивалентной емкости). После интервала времени рассасыванияt расс начинается процесс выключения диода, т.е. процесс восстановления его запирающих свойств.
К моменту времени t 3 напряжение на диоде становится равным нулю и в дальнейшем приобретает обратное значение. Процесс восстановления запирающих свойств диода продолжается до момента времениt 4 . К этому времени ток через диод становится равным нулю, а напряжение на нем достигает значения –U m . Таким образом, времяt вос можно отсчитывать от переходаU д через нуль до достижения током диода нулевого значения.
Рассмотрение процессов включения и выключения выпрямительного диода показывает, что диод не является идеальным вентилем, а в определенных условиях обладает проводимостью в обратном направлении. Особенно сильно эти эффекты проявляются при высокой частоте входного напряжения и при работе с импульсными сигналами. В связи с этой особенностью работы импульсных диодов в технической документации для них, кроме параметров, характеризующих обычный режим выпрямления, приводятся дополнительные параметры, характеризующие переходный процесс:
максимальное импульсное прямое напряжение –U пр и max ;
максимально допустимый импульсный прямой ток –I пр и max ;
время установления (t уст ) – интервал времени от момента подачи импульса прямого напряжения на диод до достижения заданного значения прямого тока в нем;
время восстановления обратного сопротивления диода – (t вос ).
Диоды часто именуются «прямыми» и «обратными». С чем это связано? Чем отличается «прямой» диод от «обратного» диода?
Диод - это полупроводник, имеющий 2 вывода, а именно - анод и катод. Используется он для обработки различными способами электрических сигналов. Например, в целях их выпрямления, стабилизации, преобразования.
Особенность диода в том, что он пропускает ток только в одну сторону. В обратном направлении - нет. Это возможно благодаря тому, что в структуре диода присутствует 2 типа полупроводниковых областей, различающихся по проводимости. Первая условно соответствует аноду, имеющему положительный заряд, носителями которого являются так называемые дырки. Вторая - это катод, имеющий отрицательный заряд, его носители - электроны.
Диод может функционировать в двух режимах:
В первом случае через диод хорошо проходит ток. Во втором режиме - с трудом.
Открыть диод можно посредством прямого включения. Для этого нужно подключить к аноду положительный провод от источника тока, а к катоду - отрицательный.
Прямым также может именоваться напряжение диода. Неофициально - и сам полупроводниковый прибор. Таким образом, «прямым» является не он, а подключение к нему или же напряжение. Но для простоты понимания в электрике «прямым» часто именуется и сам диод.
Закрывается полупроводник посредством, в свою очередь, обратной подачи напряжения. Для этого нужно поменять полярность проводов от источника тока. Как и в случае с прямым диодом, формируется обратное напряжение. «Обратным» же - по аналогии с предыдущим сценарием - именуется и сам диод.
Главное отличие «прямого» диода от «обратного» диода - в способе подачи тока на полупроводник. Если он подается в целях открытия диода, то полупроводник становится «прямым». Если полярность проводов от источника тока меняется - то полупроводник закрывается и становится «обратным».
Рассмотрев, в чем разница между «прямым» диодом и «обратным» диодом, отразим основные выводы в таблице.
Д иод - самый простейший по устройству в славном семействе полупроводниковых приборов. Если взять пластинку полупроводника, например германия, и в его левую половину ввести акцепторную примесь, а в правую донорную, то с одной стороны получится полупроводник типа P, соответственно с другой типа N. В середине кристалла получится, так называемый P-N переход , как показано на рисунке 1.
На этом же рисунке показано условное графическое обозначение диода на схемах: вывод катода (отрицательный электрод) очень похож на знак «-». Так проще запомнить.
Всего в таком кристалле две зоны с различной проводимостью, от которых выходят два вывода, поэтому полученный прибор получил название диод , поскольку приставка «ди» означает два.
В данном случае диод получился полупроводниковый, но подобные устройства были известны и раньше: например в эпоху электронных ламп был ламповый диод, называвшийся кенотрон. Сейчас такие диоды ушли в историю, хотя приверженцы «лампового» звука считают, что в ламповом усилителе даже выпрямитель анодного напряжения должен быть ламповым!
Рисунок 1. Строение диода и обозначение диода на схеме
На стыке полупроводников с P и N проводимостями получается P-N переход (P-N junction) , который является основой всех полупроводниковых приборов. Но в отличии от диода, у которого этот переход лишь один, имеют два P-N перехода, а, например, состоят сразу из четырех переходов.
P-N переход в состоянии покоя
Даже если P-N переход, в данном случае диод, никуда не подключен, все равно внутри него происходят интересные физические процессы, которые показаны на рисунке 2.
Рисунок 2. Диод в состоянии покоя
В области N имеется избыток электронов, она несет в себе отрицательный заряд, а в области P заряд положительный. Вместе эти заряды образуют электрическое поле. Поскольку разноименные заряды имеют свойство притягиваться, электроны из зоны N проникают в положительно заряженную зону P, заполняя собой некоторые дырки. В результате такого движения внутри полупроводника возникает, хоть и очень маленький (единицы наноампер), но все-таки ток.
В результате такого движения возрастает плотность вещества на стороне P, но до определенного предела. Частицы обычно стремятся распространяться равномерно по всему объему вещества, подобно тому, как запах духов распространяется на всю комнату (диффузия), поэтому, рано или поздно, электроны возвращаются обратно в зону N.
Если для большинства потребителей электроэнергии направление тока роли не играет, - лампочка светится, плитка греется, то для диода направление тока играет огромную роль. Основная функция диода проводить ток в одном направлении. Именно это свойство и обеспечивается P-N переходом.
Включение диода в обратном направлении
Если к полупроводниковому диоду подключить источник питания, как показано на рисунке 3, то ток через P-N переход не пройдет.
Рисунок 3. Обратное включение диода
Как видно на рисунке, к области N подключен положительный полюс источника питания, а к области P - отрицательный. В результате электроны из области N устремляются к положительному полюсу источника. В свою очередь положительные заряды (дырки) в области P притягиваются отрицательным полюсом источника питания. Поэтому в области P-N перехода, как видно на рисунке, образуется пустота, ток проводить просто нечем, нет носителей заряда.
При увеличении напряжения источника питания электроны и дырки все сильней притягиваются электрическим полем батарейки, в области же P-N перехода носителей заряда остается все меньше. Поэтому в обратном включении ток через диод не идет. В таких случаях принято говорить, что полупроводниковый диод заперт обратным напряжением.
Увеличение плотности вещества около полюсов батареи приводит к возникновению диффузии , - стремлению к равномерному распределению вещества по всему объему. Что и происходит при отключении элемента питания.
Обратный ток полупроводникового диода
Вот здесь как раз и настало время вспомнить о неосновных носителях, которые были условно забыты. Дело в том, что даже в закрытом состоянии через диод проходит незначительный ток, называемый обратным. Этот обратный ток и создается неосновными носителями, которые могут двигаться точно так же, как основные, только в обратном направлении. Естественно, что такое движение происходит при обратном напряжении. Обратный ток, как правило, невелик, что обусловлено незначительным количеством неосновных носителей.
С повышением температуры кристалла количество неосновных носителей увеличивается, что приводит к возрастанию обратного тока, что может привести к разрушению P-N перехода. Поэтому рабочие температуры для полупроводниковых приборов, - диодов, транзисторов, микросхем ограничены. Чтобы не допускать перегрева мощные диоды и транзисторы устанавливаются на теплоотводы - радиаторы .
Включение диода в прямом направлении
Показано на рисунке 4.
Рисунок 4. Прямое включение диода
Теперь изменим полярность включения источника: минус подключим к области N (катоду), а плюс к области P (аноду). При таком включении в области N электроны будут отталкиваться от минуса батареи, и двигаться в сторону P-N перехода. В области P произойдет отталкивание положительно заряженных дырок от плюсового вывода батареи. Электроны и дырки устремляются навстречу друг другу.
Заряженные частицы с разной полярностью собираются около P-N перехода, между ними возникает электрическое поле. Поэтому электроны преодолевают P-N переход и продолжают движение через зону P. При этом часть из них рекомбинирует с дырками, но большая часть устремляется к плюсу батарейки, через диод пошел ток Id.
Этот ток называется прямым током . Он ограничивается техническими данными диода, некоторым максимальным значением. Если это значение будет превышено, то возникает опасность выхода диода из строя. Следует, однако, заметить, что направление прямого тока на рисунке совпадает с общепринятым, обратным движению электронов.
Можно также сказать, что при прямом направлении включения электрическое сопротивление диода сравнительно небольшое. При обратном включении это сопротивление будет во много раз больше, ток через полупроводниковый диод не идет (незначительный обратный ток здесь в расчет не принимается). Из всего вышесказанного можно сделать вывод, что диод ведет себя подобно обычному механическому вентилю: повернул в одну сторону - вода течет, повернул в другую - поток прекратился . За это свойство диод получил название полупроводникового вентиля .
Чтобы детально разобраться во всех способностях и свойствах полупроводникового диода, следует познакомиться с его вольт - амперной характеристикой . Также неплохо узнать о различных конструкциях диодов и частотных свойствах, о достоинствах и недостатках. Об этом будет рассказано в следующей статье.
Основные параметры диодов - это прямой ток диода (I пр) и максимальное обратное напряжение диода (U обр). Именно их надо знать, если стоит задача разработать новый выпрямитель для источника питания.
Прямой ток диода можно легко вычислить, если известен общий ток , который будет потреблять нагрузка нового блока питания. Затем, для обеспечения надёжности, необходимо несколько увеличить это значение и получится ток, на который надо подобрать диод для выпрямителя. К примеру, блок питания должен выдерживать ток в 800 мА. Поэтому мы выбираем диод, у которого прямой ток диода равен 1А.
Максимальное обратное напряжение диода - это параметр, который зависит не только от значения переменного напряжения на входе, но и от типа выпрямителя. Для объяснения этого утверждения, рассмотрим следующие рисунки. На них показаны все основные схемы выпрямителей.
Рис. 1
Рис. 2
На рисунке 2 изображён двухполупериодный выпрямитель с выводом средней точки. В нём также, как и в предыдущем, диоды надо подбирать с обратным напряжением в 3 раза превышающем действующее значение входного.
Диод является одной из разновидностей приборов, сконструированных на полупроводниковой основе. Обладает одним p-n переходом, а также анодным и катодным выводом. В большинстве случаев он предназначен для модуляции, выпрямления, преобразования и иных действий с поступающими электрическими сигналами.
Принцип работы:
Ниже приводится подробное описание устройства диода, изучение этих сведений необходимо для дальнейшего понимания принципов действия этих элементов:
Такие особенности внутреннего устройства наделяют диоды их главным свойством – возможностью проведения электрического тока только в одном направлении.
Ниже приводятся основные области применения диодов, на примере которых становится понятно их основное назначение:
Использование диодов в электронике на сегодняшний день весьма широко, поскольку фактически ни одна современная разновидность электронного оборудования не обходится без этих элементов.
На p-n-переход диода может оказывать воздействие напряжение, подаваемое с внешних источников. Такие показатели, как величина и полярность, будут сказываться на его поведении и проводимом через него электрическом токе.
Ниже подробно рассмотрен вариант, при котором происходит подключение плюса к области p-типа, а отрицательного полюса к области n-типа. В этом случае произойдет прямое включение:
Теперь будет рассмотрен другой способ включения, во время которого изменяется полярность внешнего источника, от которого происходит передача напряжения:
Напряжение, которое оказывает воздействие на диод, разделяют по двум критериям:
Сопротивление p-n-перехода является постоянно меняющимся показателем, в первую очередь на него оказывает влияние прямое напряжение, подающееся непосредственно на диод. Если напряжение увеличивается, то показатели сопротивления перехода будут пропорционально уменьшаться.
Это приводит к росту параметров прямого тока, проходящего через диод. Когда данный прибор закрыт, то на него воздействует фактически все напряжение, по этой причине показатели проходящего через диод обратного тока являются незначительными, а сопротивление перехода при этом достигает пиковых параметров.
Под вольт-амперной характеристикой данных приборов понимается кривая линия, которая показывает то, в какой зависимости находится электрический ток, протекающий через p-n-переход, от объемов и полярности напряжения, воздействующего на него.
Подобный график можно описать следующим образом:
Иногда приборы подобного типа выходят из строя, это может происходить из-за естественной амортизации и старения данных элементов или по иным причинам.
Всего выделяют 3 основных типа распространенных неисправностей:
Подобные пробои происходят в ситуациях, когда показатели обратного электрического тока начинают внезапно и резко расти, происходит это из-за того, что напряжение соответствующего типа достигает недопустимых высоких значений.
Обычно различается несколько видов:
График вольт-амперной характеристики позволяет наглядно изучать эти процессы и разницу между ними.
Последствия, вызываемые электрическими пробоями, не носят необратимого характера, поскольку при них не происходит разрушение самого кристалла. Поэтому при постепенном понижении напряжения можно восстановить всей свойства и рабочие параметры диода.
При этом, пробои такого типа делятся на две разновидности:
Возникновение такого пробоя может произойти по двум основным причинам: недостаточный теплоотвод и перегрев p-n-перехода, который происходит из-за протекания через него электрического тока со слишком высокими показателями.
Повышение температурного режима в переходе и соседних областях вызывает следующие последствия: